А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
0-9 A B C D I F G H IJ K L M N O P Q R S TU V WX Y Z #


Чтение книги "Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам" (страница 17)

   DRAM Interleave Time (Время чередования DRAM)

   Обычные опции: 0ms, 0.5ms.
   Эта функция BIOS определяет размер дополнительной задержки между обращениями к банку памяти при использовании функции SDRAM Bank Interleave.
   Конечно, чем меньше задержка, тем быстрее модуль памяти может переключаться между банками; это ведет к повышению производительности.
   Поэтому рекомендуем настроить для данной опции минимально допустимое значение. В данном случае, это 0ms (дополнительная задержка между обращениями к банку отсутствует). Используйте настройку 0.5ms только в том случае, если у вас возникли проблемы со значением 0ms.

   DRAM PreChrg to Act CMD

   Обычные опции: 2T, 3T, 4T.
   При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS (Row Address Strobe – Импульс адреса строки). Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS (Column Address Strobe – Импульс адреса столбца). Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
   Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется tRP.
   Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка tRP для него будет равна 4 циклам.
   Как и функция SDRAM Trp Timing Value, эта функция BIOS управляет временем обновления RAS (tRP). Под временем обновления подразумевается временной интервал между завершением команды Precharge и моментом, когда эта строка может быть активирована. Отсюда и возникло название опции DRAM PreChrg to Act CMD, которое является сокращением от DRAM Precharge Command to Activate Command (Команда между обновлением DRAM и активацией).
   Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2T производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.
   Однако времени обновления 2T может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.
   Советуем уменьшить время обновления RAS до 2T, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3T или 4T.

   DRAM Ratio (CPU: DRAM) – Коэффициент DRAM (CPU: DRAM)

   Обычные опции: 1:1, 3:2, 3:4, 4:5, 5:4.
   Выбор опции полностью зависит от настройки функции DRAM Ratio H/W Strap или N/B Strap CPU As.
   Если функция DRAM Ratio H/W Strap настроена как Low, будут доступны опции 1:1 и 3:4.
   Если функция DRAM Ratio H/W Strap настроена как High, будут доступны опции 1:1 и 4:5.
   Если функция N/B Strap CPU As настроена как PSB800, будут доступны опции 1:1, 3:2 и 5:4.
   Если функция N/B Strap CPU As настроена как PSB533, будут доступны опции 1:1 и 4:5.
   Если функция N/B Strap CPU As настроена как PSB400, будет доступна только опция 3:4.
   Опции 1:1, 3:2, 3:4 и 4:5 обозначают доступные коэффициенты CPU-DRAM (или CPU: DRAM).
   Обратите внимание на то, что, хотя процессор Pentium 4 имеет тактовую частоту шины 400 МГц, 533 МГц или 800 МГц, шина CPU в действительности работает с частотой 100 МГц, 133 МГц или 200 МГц, соответственно. Причина заключается в том, что шина Pentium 4 имеет шину Quad Data Rate (или QDR), которая передает в четыре раза больше данных, чем обычная шина.
   В рекламных целях производители заявляют, что шина Pentium 4 имеет частоту 400 МГц, 533 МГц или 800 МГц, но на самом деле ее частота составляет 100 МГц, 133 МГц и 200 МГц, соответственно. Помните об этом при настройке данной опции BIOS.
   Например, если вы задаете коэффициент 3:2 при использовании шины CPU 200 МГц (800 МГц QDR), шина памяти будет работать на частоте (200 МГц / 3) х х 2 = 133 МГц или 266 МГц QDR. Далее мы приведем другие примеры.
   Если вы используете шину CPU 100 МГц (400 МГц DDR):
   • и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 66 МГц (или 133 МГц DDR);
   • и коэффициент 5:4, контроллер DRAM работает с частотой 80 МГц (или 160 МГц DDR);
   • и коэффициент 1:1, контроллер DRAM работает с частотой 100 МГц (или 200 МГц DDR);
   • и коэффициент 4:5, контроллер DRAM работает с частотой 125 МГц (или 250 МГц DDR);
   • и коэффициент 3:4, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR).
   Если вы используете шину CPU 133 МГц (533 МГц DDR):
   • и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 89 МГц (или 178 МГц DDR);
   • и коэффициент 5:4, контроллер DRAM работает с частотой 106 МГц (или 213 МГц DDR);
   • и коэффициент 1:1, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR);
   • и коэффициент 4:5, контроллер DRAM работает с частотой 166 МГц (или 333 МГц DDR);
   • и коэффициент 3:4, контроллер DRAM работает с частотой 177 МГц (или 354 МГц DDR).
   Если вы используете шину CPU 200 МГц (800 МГц DDR):
   • и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR);
   • и коэффициент 5:4, контроллер DRAM работает с частотой 160 МГц (или 320 МГц DDR);
   • и коэффициент 1:1, контроллер DRAM работает с частотой 200 МГц (или 400 МГц DDR);
   • и коэффициент 4:5, контроллер DRAM работает с частотой 250 МГц (или 500 МГц DDR);
   • и коэффициент 3:4, контроллер DRAM работает с частотой 266 МГц (или 533 МГц DDR).
   По умолчанию эта функция настраивается на By SPD. Это позволяет системе запрашивать чип SPD для каждого модуля памяти и использовать соответствующий коэффициент.
   Рекомендуем выбрать коэффициент, который позволяет максимально эффективно использовать возможности ваших модулей памяти. Помните, что коэффициент 1:1 тоже является рекомендованной установкой, так как он обеспечивает высокую скорость передачи данных.

   DRAM Ratio H/W Strap (Коэффициент DRAM H/W Strap)

   Обычные опции: High, Low, By CPU.
   Эта функция BIOS позволяет обойти ограничение коэффициента CPU-DRAM, которое задается в новых сериях процессоров Intel i845. Для этих серий компания Intel ввела ограничение доступных коэффициентов CPU-DRAM.
   Если вы установили процессор с шиной 400 МГц, выбор коэффициентов CPU-DRAM ограничивается 1:1 и 3:4.
   Если вы установили процессор с шиной 533 МГц, выбор коэффициентов CPU-DRAM ограничивается 1:1 и 4:5.
   Как видите, вы теряете гибкость при выборе коэффициента CPU-DRAM для вашей системы. К счастью, данная функция BIOS позволяет вам обойти это ограничение.
   Функция DRAM Ratio H/W Strap управляет настройкой внешнего устройства, привязанного к MCH (Memory Controller Hub – Концентратору контроллера памяти) материнской платы. Изменив значение на High или Low, вы можете заставить плату «думать», что вы используете шину 400 МГц или 533 МГц.
   Если вы настроите данную опцию на High, то получите доступ к коэффициентам CPU-DRAM 1:1 и 4:5.
   Если вы настроите данную опцию на Low, то получите доступ к коэффициентам CPU-DRAM 1:1 и 3:4.
   По умолчанию эта опция настраивается на By CPU, то есть внешние устройства будут работать с параметрами той шины, которая установлена в вашей системе.
   Как правило, вам не понадобится изменять настройку вручную. Если вам необходим доступ к коэффициенту CPU-DRAM, который для вас недоступен, эта функция будет очень полезна.

   DRAM Read Latch Delay (Задержка при чтении DRAM)

   Обычные опции: Auto, No Delay, 0.5ns, 1.0ns, 1.5ns.
   Эта функция является аналогом функции Delay DRAM Read Latch. Она настраивает параметры таймера DRAM в соответствии со степенью нагрузки DRAM.
   Нагрузка DRAM изменяется в зависимости от количества, а также типа установленных модулей памяти. По мере увеличения количества модулей нагрузка DRAM увеличивается. Также она увеличивается, если вы устанавливаете двойные модули вместо обычных. В общем, чем больше устройств DRAM вы используете, тем больше нагрузка на DRAM. Поэтому один модуль DRAM создает минимальную нагрузку на DRAM.
   При высокой нагрузке DRAM, возможно, придется отложить момент обращения контроллера памяти к DRAM при считывании. В противном случае, контроллер памяти может совершить ошибку при обращении к устройству DRAM и не получить нужную информацию.
   Опция Auto позволяет BIOS выбирать оптимальную задержку из значений, заданных производителем.
   Опция No Delay (Без задержки) заставляет контроллер памяти обращаться к устройству DRAM без задержки, даже если установки BIOS показывают, что задержка необходима.
   Другие опции (0.5ns, 1.0ns и 1.5ns) позволяют задать задержку при чтении вручную.
   Обычно следует разрешить BIOS выбирать задержку самостоятельно (опция Auto). Если вы заметили, что после установки дополнительных модулей памяти ваша система работает нестабильно, попробуйте настроить задержку вручную.
   Чем больше задержка, тем ниже производительность модулей памяти при чтении. Но стабильность работы модулей памяти не повышается при увеличении задержки. Помните, что предназначение данной функции заключается в том, чтобы позволить контроллеру памяти обратиться к устройству DRAM без задержки при любой нагрузке DRAM.
   Задержка должна быть ровно такой, чтобы позволить контроллеру памяти обратиться к устройству DRAM. Не нужно увеличивать задержу без особой необходимости. Это не позволит повысить стабильность системы. Наоборот, вы можете снизить производительность! Начните со значения 0.5ns и экспериментируйте, пока система не стабилизируется.
   Если у вас небольшая нагрузка на DRAM, вы можете добиться оптимальной производительности (выберите опцию No Delay). Контроллер памяти сможет обращаться к устройствам DRAM без задержки даже в том случае, если настройки BIOS требуют добавить задержку. При высокой нагрузке DRAM такая установка может привести к проблемам. Если после этого ваша система начнет работать нестабильно, верните значение Auto, чтобы BIOS могла самостоятельно настраивать задержку в соответствии с нагрузкой DRAM.

   Dram Refresh Rate (Коэффициент обновления DRAM)

   Обычные опции: 7.8 msec, 15.6 msec, 31.2 msec, 64 msec, 128 msec, Auto.
   Как правило, ячейкам памяти необходимо обновляться через каждые 64 миллисекунды. Однако одновременное обновление всех строк в обычном чипе памяти приводит к большому скачку напряжения. Кроме того, одновременное обновление задерживает все запросы, вызывая значительное снижение производительности.
   Чтобы избежать этих проблем, обновления группируются по количеству строк. Так как стандартный чип памяти включает 4096 строк, контроллер памяти обновляет строку каждые 15.6 msec (64000 msec / 4096 строк = 15.6 msec). Это позволяет снизить потребление электроэнергии во время каждого обновления, а также разрешает доступ к данным из строк, которые не обновляются.
   Как правило, модули памяти с чипами памяти 128 Мбит и меньше имеют 4096 строк, а чипы памяти большего объема (256 Мбит и более) имеют 8192 строки. Для таких чипов интервал обновления должен быть настроен на 7.8 m sec, так как за период в 64 миллисекунды системе необходимо обработать в два раза больше строк.
   Обычно для чипов 128 Мбит (не мегабайт) и меньше используется интервал обновления 15.6 msec, а для чипов памяти 256 Мбит и более – 7.8 msec. Если в вашей системе установлены модули 128 Мбит и 256 Мбит, рекомендуемая установка – это 7.8 m sec, но не 15.6 m sec.
   Несмотря на то, что стандарты JEDEC требуют использовать цикл обновления 64 миллисекунды, современные чипы памяти способны удерживать данные еще дольше. Поэтому вы вполне сможете работать с длинным циклом обновления. Это позволит реже обновлять чипы памяти, чтобы уменьшить потери пропускной способности, а также расход электроэнергии (особенно актуально для ноутбуков и других переносных устройств).
   Эта функция BIOS позволяет задать интервал обновления для чипов памяти. Вам доступны три различные настройки, а также опция Auto. Если вы выберите значение Auto, BIOS будет запрашивать чипы SPD модулей памяти и использовать самое низкое значение, чтобы обеспечить максимальную совместимость.
   Чтобы улучшить производительность, вы можете увеличить значения функции DRAM Refresh Rate. Вместо значения по умолчанию (15.6 m sec для памяти объемом 128 Мб и меньше и 7.8 m sec для памяти объемом 256 Мб и больше) используйте более высокое значение, вплоть до 128 m sec. Помните, что при слишком большом увеличении значения ячейки памяти могут потерять свое содержимое.
   Поэтому начните с небольшого увеличения и протестируйте вашу систему. Если после увеличения интервала обновления вы столкнетесь с трудностями, уменьшите значение, пока система не стабилизируется.
Чтение онлайн



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [17] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48

Навигация по сайту
Реклама


Читательские рекомендации

Информация